4 SiC MOSFET-based功率模块了

理查森RFPD宣布股票和完整的可用性设计的支持能力四个新1200 v SiC MOSFET-based Vincotech电源模块。

Vincotech设备代表了新一代的1200 v SiC MOSFET-based功率模块,并专门为太阳能、UPS和电池管理应用程序。

两个版本的模块是可用的。首先是0 flow3xPHASE SiC三相逆变器模块3 x巴克/增强和分割输出拓扑。第二个版本是flow3xBOOST 0 SiC与三通道振电路。三个电路不连接,给设计工程师灵活地使用它们作为单独的电路或附加并联电阻电流传感。flow3xPHASE 0 SiC配置可能被用作双向DC-to-AC三相逆变器或一个三通道双向DC-to-DC逆变器。

两个版本功能最新一代的SiC MOSFET开关用于超高速开关频率> 100千赫。他们能够实现最高效率> 99% fPWM 64千赫。配备集成DC电容器,这些新的流0 SiC模块提供超低电感。

根据Vincotech,额外的新电源模块的主要功能包括:

三相逆变器与分割输出更好的交换行为(打开能源和减少cross-conduction抑制)

三通道助推器

罗姆,克里族力量SiC MOSFET和权力碳化硅肖特基二极管

温度传感器

船形开关http://www.cenxn.com